2SB1132T100R

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

安裝方式：

貼片/貼片

晶體管極性：

PNP

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

- 32 V

集電極-基極電壓 VCBO：

- 40 V

發射極基極電壓 VEBO：

- 5 V

集電極-發射極飽和電壓：

- 0.2 V

最大直流集電極電流：

- 2 A

增益帶寬積 fT：

150 MHz

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

2SB1132

直流電流增益 hFE 最大值：

390

高度：

1.5 mm

長度：

4.5 mm

打包：

捲軸

寬度：

2.5 mm

品牌：

羅姆半導體

連續集電極電流：

- 1 A

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

82

Pd - 功耗：

2 W

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

1000

子類別：

晶體管

單位重量：

0.004603 oz

Tags

2SB1132T100R, 2SB1132T100, 2SB1132T10, 2SB1132T1, 2SB1132T, 2SB1132, 2SB113, 2SB11, 2SB1, 2SB