NVD5863NLT4G-VF01

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DPAK-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

82 A

Rds On - 漏源電阻：

7.1 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

70 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

96 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

55 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

24.4 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

37.6 ns

典型的開啟延遲時間：

12.8 ns

Tags

NVD5863, NVD586, NVD58, NVD5, NVD