EFC6611R-A-TF

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

CSP-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

12 V

Id - 連續漏極電流：

27 A

Rds On - 漏源電阻：

3.2 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

120 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

EFC6611R

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

19 S

開發套件：

-

秋季時間：

17700 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

570 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

38000 ns

典型的開啟延遲時間：

80 ns

單位重量：

0.002116 oz

Tags

EFC6611R-A, EFC6611, EFC661, EFC6, EFC