TPS1100DG4

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOIC-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

15 V

Id - 連續漏極電流：

1.6 A

Rds On - 漏源電阻：

180 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

2 V, - 15 V

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 125 C

Pd - 功耗：

791 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

1.75 mm

長度：

4.9 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

TPS1100

晶體管類型：

1 P-Channel

類型：

PMOS 開關

寬度：

3.9 mm

品牌：

德州儀器

秋季時間：

10 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

10 ns

出廠包裝數量：

75

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

13 ns

典型的開啟延遲時間：

4.5 ns

單位重量：

0.002677 oz

Tags

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