RW1E025RPT2CR

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-563T-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

2.5 A

Rds On - 漏源電阻：

55 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

5.2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

700 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

RW1E025RP

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

22 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

12 ns

出廠包裝數量：

8000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

50 ns

典型的開啟延遲時間：

7 ns

第 # 部分別名：

RW1E025RP

單位重量：

0.000106 oz

Tags

RW1E025RPT, RW1E02, RW1E0, RW1E, RW1