IXTY1R6N50D2-TRL

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

分立半導體模塊

RoHS：

Y

產品：

功率 MOSFET 模塊

類型：

耗盡模式

Vgs - 柵源電壓：

20 V

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

捲軸

配置：

單身的

品牌：

IXYS

晶體管極性：

N通道

秋季時間：

41 ns

Id - 連續漏極電流：

1.6 A

Pd - 功耗：

100 W

產品類別：

分立半導體模塊

Rds On - 漏源電阻：

2.3 Ohms

上升時間：

70 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

分立半導體模塊

典型關斷延遲時間：

35 ns

典型的開啟延遲時間：

25 ns

Vds - 漏源擊穿電壓：

500 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

- 4.5 V

Tags

IXTY1R6N50D, IXTY1R6N5, IXTY1R6, IXTY1R, IXTY1, IXTY, IXT