RGT16NS65DGTL

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

IGBT晶體管

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

650 V

集電極-發射極飽和電壓：

1.65 V

最大柵極發射極電壓：

30 V

25 C 時的連續集電極電流：

16 A

Pd - 功耗：

94 W

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 175 C

系列：

RGT16NS65D

打包：

捲軸

連續集電極電流 Ic 最大值：

16 A

工作溫度範圍：

- 40 C to + 175 C

品牌：

羅姆半導體

連續集電極電流：

8 A

柵極-發射極漏電流：

+/- 200 nA

產品類別：

IGBT晶體管

出廠包裝數量：

1000

子類別：

IGBT

第 # 部分別名：

RGT16NS65D(LPDS)

單位重量：

0.070548 oz

Tags

RGT16N, RGT1, RGT