RUF025N02FRATL

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TUMT-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

2.5 A

Rds On - 漏源電阻：

39 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

300 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

5 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

800 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

15 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

15 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

35 ns

典型的開啟延遲時間：

7 ns

第 # 部分別名：

RUF025N02FRA

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