TSM60N1R4CH C5G

產品屬性

屬性值

製造商：

台積電

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-251-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

3.3 A

Rds On - 漏源電阻：

880 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Qg - 門電荷：

7.7 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

38 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

產品：

整流器

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

台積電

秋季時間：

20 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

22 ns

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

24 ns

典型的開啟延遲時間：

14 ns

Tags

TSM60N1, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM