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TGF2934

TGF2934
Mfr. #:
TGF2934
製造商:
Qorvo
描述:
RF JFET Transistors DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
生命週期:
製造商新產品
數據表:
TGF2934 數據表
交貨:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
更多信息:
TGF2934 更多信息
產品屬性
屬性值
製造商：
科沃
產品分類：
射頻 JFET 晶體管
RoHS：
Y
晶體管類型：
HEMT
技術：
氮化鎵碳化矽
獲得：
20 dB
晶體管極性：
N通道
Vds - 漏源擊穿電壓：
50 V
Vgs - 柵源擊穿電壓：
145 V
Id - 連續漏極電流：
2.5 A
輸出功率：
70 W
最低工作溫度：
- 40 C
最高工作溫度：
+ 85 C
Pd - 功耗：
64 W
安裝方式：
貼片/貼片
包裝/案例：
NI-360
打包：
托盤
配置：
單身的
工作頻率：
3.7 GHz
工作溫度範圍：
- 40 C to + 85 C
系列：
QPD
品牌：
科沃
開發套件：
QPD1015PCB401
濕氣敏感：
是的
產品類別：
射頻 JFET 晶體管
出廠包裝數量：
25
子類別：
晶體管
Vgs th - 柵源閾值電壓：
- 2.8 V
Tags
TGF293, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 25 GHz, 14 dB,14 W, 28 V, GaN, 1.46X.55X.10, DIE
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
圖片 型號 描述
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4

 RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4-WOLFSPEED

 RF MOSFET HEMT 40V DIE
可用性
庫存:
50
訂購:
2033
輸入數量:
TGF2934的當前價格僅供參考，如果您想獲得最優惠的價格，請提交查詢或直接發送電子郵件至我們的銷售團隊[email protected]
參考價格（美元）
數量
單價
小計金額
50
US$51.33
US$2 566.50
100
US$45.35
US$4 535.00
250
US$42.18
US$10 545.00
由於2021年半導體供不應求，低於2021年之前的正常價格，請發詢價確認。
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