RW1E015RPT2R

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-563-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

1.5 A

Rds On - 漏源電阻：

270 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

6.5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

700 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.65 mm

長度：

1.7 mm

產品：

MOSFET

系列：

RW1E015RP

晶體管類型：

1 P-Channel

類型：

功率MOSFET

寬度：

1.4 mm

品牌：

羅姆半導體

正向跨導 - 最小值：

1.2 S

秋季時間：

13 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8 ns

出廠包裝數量：

8000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

40 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns

第 # 部分別名：

RW1E015RP

單位重量：

0.000106 oz

Tags

RW1E015, RW1E01, RW1E0, RW1E, RW1