APTGTQ200DA65T3G

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

IGBT 模塊

技術：

-

產品：

IGBT 矽模塊

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

650 V

集電極-發射極飽和電壓：

1.65 V

25 C 時的連續集電極電流：

200 A

柵極-發射極漏電流：

480 nA

Pd - 功耗：

483 W

包裝/案例：

SP3F

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 125 C

打包：

管子

品牌：

微芯片/Microsemi

安裝方式：

底盤安裝

最大柵極發射極電壓：

20 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

1

子類別：

IGBT

單位重量：

3.880136 oz

Tags

APTGTQ2, APTGTQ, APTGT, APTG, APT