IRF7799L2TR1PBF

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DirectFET-L8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

250 V

Id - 連續漏極電流：

35 A

Rds On - 漏源電阻：

32 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

110 nC

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

高度：

0.74 mm

長度：

9.15 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

7.1 mm

品牌：

英飛凌/紅外

正向跨導 - 最小值：

54 S

秋季時間：

26.6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

33.5 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

SP001560006

單位重量：

0.035274 oz

Tags

IRF77, IRF7, IRF