PD20010STR-E

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Id - 連續漏極電流：

5 A

Vds - 漏源擊穿電壓：

40 V

獲得：

11 dB

輸出功率：

10 W

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PowerSO-10RF-Straight-4

打包：

捲軸

配置：

單身的

工作頻率：

2 GHz

系列：

PD20010-E

類型：

射頻功率MOSFET

品牌：

意法半導體

濕氣敏感：

是的

Pd - 功耗：

59 W

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

600

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

15 V

單位重量：

0.105822 oz

Tags

PD20010, PD2001, PD200, PD20, PD2