RND030N20TL

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

200 V

Id - 連續漏極電流：

3 A

Rds On - 漏源電阻：

620 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.2 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

6.7 nC

最低工作溫度：

-

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

20 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

RND030N20

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

羅姆半導體

正向跨導 - 最小值：

750 mS

秋季時間：

17 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

13 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

18 ns

典型的開啟延遲時間：

13 ns

第 # 部分別名：

RND030N20

單位重量：

0.011993 oz

Tags

RND0, RND