CSD86311W1723

產品屬性

屬性值

製造商：

德州儀器

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DSBGA-12

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

25 V

Id - 連續漏極電流：

5 A

Rds On - 漏源電阻：

42 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

3.1 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

雙重的

商品名：

場效應管

打包：

捲軸

高度：

0.62 mm

長度：

2.32 mm

系列：

CSD86311W1723

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

1.74 mm

品牌：

德州儀器

正向跨導 - 最小值：

6.4 S

秋季時間：

2.9 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4.3 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

13.2 ns

典型的開啟延遲時間：

5.4 ns

單位重量：

0.000145 oz

Tags

CSD86, CSD8, CSD