FZ900

FZ900R12KE4 vs FZ900R12KE4HOSA1 vs FZ900R12KF5NOSA1

 
PartNumberFZ900R12KE4FZ900R12KE4HOSA1FZ900R12KF5NOSA1
DescriptionIGBT Modules 1200V 900AIGBT MODULE 1200V 900APOWER MOD IGBT 1200V A-IHM130-2
ManufacturerInfineon--
Product CategoryIGBT Modules--
RoHSY--
ProductIGBT Silicon Modules--
Collector Emitter Voltage VCEO Max1200 V--
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V--
Continuous Collector Current at 25 C900 A--
Gate Emitter Leakage Current400 nA--
Pd Power Dissipation4300 W--
Minimum Operating Temperature- 40 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
PackagingTray--
BrandInfineon Technologies--
Mounting StyleChassis Mount--
Maximum Gate Emitter Voltage20 V--
Product TypeIGBT Modules--
Factory Pack Quantity10--
SubcategoryIGBTs--
Part # AliasesFZ900R12KE4HOSA1 SP000524466--
製造商 型號 描述 RFQ
Infineon Technologies
Infineon Technologies
FZ900R12KE4 IGBT Modules 1200V 900A
FZ900R12KP4 IGBT Modules IGBT 1200V 900A
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MODULE 1200V 900A
FZ900R12KP4HOSA1 MOD IGBT MED PWR 62MM-2
FZ900R12KF5NOSA1 POWER MOD IGBT 1200V A-IHM130-2
FZ900R12KP4 IGBT Modules IGBT 1200V 900A
FZ900R12KE4 IGBT Modules 1200V 900A
FZ900I16KF1 全新原裝
FZ900R12KE3 全新原裝
FZ900R12KF1 全新原裝
FZ900R12KF3 全新原裝
FZ900R12KF4 全新原裝
FZ900R12KF5 IGBT Modules
FZ900R12KF6 全新原裝
FZ900R12KL4 全新原裝
FZ900R16KF1 全新原裝
FZ900R16KF4 全新原裝
FZ900R16KF4-S1 全新原裝
FZ900R16KF5 全新原裝
FZ900R17KE4 全新原裝
FZ900R17KF6C 全新原裝
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