SH8M31GZETB

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOP-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

4.5 A

Rds On - 漏源電阻：

65 mOhms, 70 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

7 nC, 40 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

13 ns, 40 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

18 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

40 ns, 100 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns, 17 ns

Tags

SH8M3, SH8M, SH8