NE3515S02-T1D-A

產品屬性

屬性值

製造商：

電燈

產品分類：

射頻 JFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管類型：

pHEMT

技術：

砷化鎵

獲得：

12.5 dB

Vds - 漏源擊穿電壓：

4 V

Vgs - 柵源擊穿電壓：

- 3 V

Id - 連續漏極電流：

88 mA

最高工作溫度：

+ 125 C

Pd - 功耗：

165 mW

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

S0-2

打包：

捲軸

工作頻率：

12 GHz

產品：

射頻結型場效應管

類型：

GaAs pHEMT

品牌：

電燈

正向跨導 - 最小值：

70 mS

NF - 噪聲係數：

0.3 dB

P1dB - 壓縮點：

14 dBm

產品類別：

射頻 JFET 晶體管

出廠包裝數量：

10000

子類別：

晶體管

Tags

NE3515, NE351, NE35, NE3