IXFT320N10T2

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-268-3

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

320 A

Rds On - 漏源電阻：

3.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

430 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

1 kW

頻道模式：

增強

商品名：

高功率場效應晶體管

打包：

管子

高度：

5.1 mm

長度：

16.05 mm

系列：

IXFT320N10

類型：

TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

寬度：

14 mm

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

80 S

秋季時間：

73 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

46 ns

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

73 ns

典型的開啟延遲時間：

36 ns

單位重量：

0.229281 oz

Tags

IXFT32, IXFT3, IXFT, IXF