PGA26E19BA

產品屬性

屬性值

製造商：

松下

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

氮化鎵

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DFN-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

13 A

Rds On - 漏源電阻：

190 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

69 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

氮化鎵

系列：

PGA26E19BA

品牌：

松下

秋季時間：

2.4 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

5.2 ns

出廠包裝數量：

2000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

3.4 ns

典型的開啟延遲時間：

3.4 ns

Tags

PGA26E1, PGA26, PGA2, PGA