TGF2080

產品屬性

屬性值

製造商：

科沃

產品分類：

射頻 JFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管類型：

pHEMT

技術：

砷化鎵

獲得：

11.5 dB

Vds - 漏源擊穿電壓：

12 V

Vgs - 柵源擊穿電壓：

- 7 V

Id - 連續漏極電流：

259 mA

最大漏柵電壓：

- 12 V

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

4.2 W

安裝方式：

貼片/貼片

打包：

凝膠包

配置：

雙重的

工作頻率：

12 GHz

工作溫度範圍：

- 65 C to + 150 C

產品：

射頻結型場效應管

系列：

轉化生長因子

類型：

GaAs pHEMT

品牌：

科沃

正向跨導 - 最小值：

309 mS

通道數：

2 Channel

P1dB - 壓縮點：

29.5 dBm

產品類別：

射頻 JFET 晶體管

出廠包裝數量：

100

子類別：

晶體管

第 # 部分別名：

1098414

Tags

TGF20, TGF2, TGF