TK31J60W,S1VQ

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-3PN-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

30.8 A

Rds On - 漏源電阻：

88 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

105 nC

Pd - 功耗：

230 W

配置：

單身的

商品名：

DTMOSIV

高度：

20 mm

長度：

15.5 mm

系列：

TK31J60W

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.5 mm

品牌：

東芝

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

25

子類別：

MOSFET

單位重量：

0.245577 oz

Tags

TK31J60W,S, TK31J, TK31, TK3